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FQT7N10TF Spécifications techniques

FQT7N10TF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Resistance 350mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Power Dissipation-Max 2W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350m Ω @ 850mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6.8A
Height 1.7mm
Width 3.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Position DUAL
Current Rating -1A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 24ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
Length 6.7mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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