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FW276-TL-2H Spécifications techniques
ON SEMICONDUCTOR FW276-TL-2HDual MOSFET, Dual N Channel, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1 Ω @ 350mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Continuous Drain Current (ID) | 700mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Height | 1.375mm |
Width | 3.9mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 1.6W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation | 2W |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Threshold Voltage | 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Length | 4.9mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FW276-TL-2H Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FW276-TL-2H | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 11300 |
FW276-TL-2H | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
FW2760002Q | Diodes Incorporated | Cristaux |
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