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HGTG20N60B3
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HGTG20N60B3 Spécifications techniques
HGTG20N60B3 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 44 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 6.39g |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Voltage - Rated DC | 600V |
Current Rating | 40A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Turn-Off Delay Time | 220 ns |
Max Collector Current | 40A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8V |
Test Condition | 480V, 20A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 360 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Max Power Dissipation | 165W |
Base Part Number | HGTG20N60 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 165W |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 45 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
Gate Charge | 80nC |
Switching Energy | 475μJ (on), 1.05mJ (off) |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
HGTG20N60B3 Documents
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Feuilles de données
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