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HGTG30N60B3D Spécifications techniques

HGTG30N60B3D datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 208W
Base Part Number HGTG30N60
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 55 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.45V
Test Condition 480V, 30A, 3 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 365 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
Switching Energy 550μJ (on), 680μJ (off)
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 60A
Number of Elements 1
Power Dissipation 208W
Turn On Delay Time 36 ns
Rise Time 25ns
Turn-Off Delay Time 137 ns
Max Collector Current 60A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Gate Charge 170nC
Td (on/off) @ 25°C 36ns/137ns
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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