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HUF75321D3ST Spécifications techniques
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 36mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 20A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 93W |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A Tc |
Rise Time | 55ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 47 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | UltraFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 55V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 93W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36m Ω @ 20A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 20V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 66 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
HUF75321D3ST Documents
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