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HUF75631S3ST Spécifications techniques

MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 33A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
Turn On Delay Time 9.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Tc
Rise Time 57ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 33A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 55 ns
Continuous Drain Current (ID) 33A
Drain-source On Resistance-Max 0.04Ohm
Height 11.33mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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