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HUF76429S3ST Spécifications techniques

MOSFET 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 44A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 110W Tc
Current 47A
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A Tc
Rise Time 203ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series UltraFET™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 22MOhm
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Voltage 60V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 47A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 74 ns
Continuous Drain Current (ID) 47A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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