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HUF76633P3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | compliant |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 145W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±16V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 38A |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | UltraFET™ |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | TIN |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35m Ω @ 39A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.035Ohm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
HUF76633P3 Documents
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Feuilles de données
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