HUFA76429D3 Spécifications techniques

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Weight 343.08mg
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 27mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 7.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 36ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 20A
Power Dissipation-Max 110W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 56 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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