IMH20TR1 Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 600mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 15V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 600mA
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 2
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 15V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
IMH20 ROHM Circuits intégrés spécialisés 634
IMH20 T108 ROHM Circuits intégrés spécialisés 9500
IMH20T108 ROHM Circuits intégrés spécialisés 9872
IMH20TR1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 2545
IMH20TR1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 6000
IMH20TR1G ON Semiconductor Arrays de transistors BJT

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