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IRF634B-FP001 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 74W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450m Ω @ 4.05A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32.4A
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Power Dissipation-Max 74W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A Tc
Rise Time 75ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 100 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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