IRF644B-FP001 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 56A
Avalanche Energy Rating (Eas) 480 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 139W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
DS Breakdown Voltage-Min 250V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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