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IRF644B-FP001 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LIFETIME (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-220-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Vgs (Max) | ±30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 56A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 480 mJ |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 139W Tc |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280m Ω @ 7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
DS Breakdown Voltage-Min | 250V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF644B-FP001 Documents
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Feuilles de données
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