KSC2001GTA Spécifications techniques

KSC2001GTA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 600mW
Frequency 170MHz
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 600mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 700mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Current - Collector (Ic) (Max) 700mA
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 90
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 25V
Current Rating 700mA
Base Part Number KSC2001
Polarity NPN
Power Dissipation 600mW
Gain Bandwidth Product 170MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 70mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Frequency - Transition 170MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status RoHS Compliant
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