KSD560OTU Spécifications techniques

KSD560OTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT APPLICABLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT APPLICABLE
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power - Max 1.5W
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3000 @ 3A 2V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number KSD560
Qualification Status Not Qualified
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN - Darlington
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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