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KSH112GTM Spécifications techniques

KSH112GTM datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 1.75W
Base Part Number KSH112
Polarity NPN
Power Dissipation 20W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
Continuous Collector Current 2A
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 2A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 20μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Frequency - Transition 25MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status RoHS Compliant
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KSH112GTM fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, KSH112GTM prix de référence. KSH112GTM paramètres, KSH112GTM Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le KSH112GTM Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver KSH112GTM schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, KSH112GTM tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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