KST14MTF Spécifications techniques

KST14MTF datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 300mA
Base Part Number KST14
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 300mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Frequency - Transition 125MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100μA, 100mA
Transition Frequency 125MHz
Max Breakdown Voltage 30V
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 20000
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