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MBD54DWT1G Spécifications techniques
MBD54DWT1G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Réseau de diodes redresseuses |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Capacitance | 10pF |
Voltage - Rated DC | 30V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Element Configuration | Dual |
Diode Type | Schottky |
Power Dissipation | 150mW |
Forward Current | 200mA |
Operating Temperature - Junction | 125°C Max |
Output Current-Max | 0.2A |
Halogen Free | Halogen Free |
Forward Voltage | 1V |
Average Rectified Current | 200mA |
Reverse Recovery Time | 5 ns |
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) | 30V |
Diode Configuration | 2 Independent |
Recovery Time | 5 ns |
Height | 1mm |
Width | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Diode Element Material | SILICON |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Max Operating Temperature | 125°C |
HTS Code | 8541.10.00.70 |
Subcategory | Other Diodes |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 200mA |
Base Part Number | MBD54D |
Number of Elements | 2 |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2μA @ 25V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Max Reverse Leakage Current | 2μA |
Max Surge Current | 600mA |
Application | FAST RECOVERY |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA DC |
Max Reverse Voltage (DC) | 30V |
Number of Phases | 1 |
Peak Reverse Current | 2μA |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 600mA |
Max Forward Surge Current (Ifsm) | 600mA |
Reverse Test Voltage | 25V |
Length | 2.2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MBD54DWT1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBD54DWT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2798 |
MBD54DWT1 | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
MBD54DWT1 | Rochester Electronics, LLC | Réseau de diodes redresseuses | |
MBD54DWT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2496 |
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