MBRD660CTG Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Réseau de diodes redresseuses
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package DPAK
Published 2006
Part Status Active
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 60V
Base Part Number MBRD660CT
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100μA @ 60V
Forward Current 6A
Halogen Free Halogen Free
Breakdown Voltage 60V
Forward Voltage 900mV
Average Rectified Current 3A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 60V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series SWITCHMODE™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Current Rating 6A
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A
Operating Temperature - Junction -65°C~175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Current - Average Rectified (Io) 3A
Max Reverse Voltage (DC) 60V
Peak Reverse Current 100μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 75A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 75A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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