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MBT6429DW1T1G Spécifications techniques
TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 40V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 200mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 150mW |
Gain Bandwidth Product | 700MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 45V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 100μA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transition Frequency | 100MHz |
Max Breakdown Voltage | 45V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Height | 1mm |
Width | 1.35mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 700MHz |
Base Part Number | MBT6429D |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Max Collector Current | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 600mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 55V |
hFE Min | 500 |
Length | 2.2mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
MBT6429DW1T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBT6429DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2560 |
MBT6429DW1T1 | ON Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
MBT6429DW1T1 | Rochester Electronics, LLC | Tableaux BJT Transistors | |
MBT6429DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 5345 |
MBT6429DWT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3320 |
MBT6429DWT1G | SOT363 | Circuits intégrés spécialisés | 3400 |
MBT6429DWT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3155 |
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