MJ4502G Spécifications techniques

MJ4502G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tray
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200W
Terminal Form PIN/PEG
Current Rating 30A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 200W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 90V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 7.5A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 750mA, 7.5A
Transition Frequency 2MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 25
Length 39.37mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-204AA, TO-3
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 2MHz
Pin Count 2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 2MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 30A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 800mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 4V
Height 8.51mm
Width 26.67mm
REACH SVHC No SVHC
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