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MJD210T4G Spécifications techniques
MJD210T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -25V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -5A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1.4W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 25V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Transition Frequency | 65MHz |
Max Breakdown Voltage | 25V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 8V |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1.4W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 65MHz |
Base Part Number | MJD210 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 65MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 25V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 40V |
hFE Min | 70 |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MJD210T4G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MJD210 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2377 |
MJD210 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MJD210 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2221 |
MJD210-TF | SAMSUNG | Circuits intégrés spécialisés | 60221 |
MJD210G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 573 |
MJD210G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MJD210L | UTC | Circuits intégrés spécialisés | 2781 |
MJD210L-TN3-R | UTC | Circuits intégrés spécialisés | 1548 |
MJD210LT4G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
MJD210RL | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 5956 |
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