MJD32CT4G Spécifications techniques

MJD32CT4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.56W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Transition Frequency 3MHz
Max Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.56W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 3MHz
Base Part Number MJD32
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 3MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.2V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 25
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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