MJD44H11T4G Spécifications techniques

MJD44H11T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.75W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 85MHz
Base Part Number MJD44H11
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Transition Frequency 85MHz
Max Breakdown Voltage 80V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 8A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.75W
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 85MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Collector Base Voltage (VCBO) 5V
hFE Min 60
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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