MJD44H11TF Spécifications techniques

MJD44H11TF datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.75W
Current Rating 8A
Base Part Number MJD44H11
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.75W
Gain Bandwidth Product 50MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
hFE Min 60
Length 6.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Form GULL WING
Frequency 50MHz
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Transition Frequency 50MHz
Max Breakdown Voltage 80V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.3mm
Width 6.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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