MJD47T4G Spécifications techniques

MJD47T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.56W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 10MHz
Base Part Number MJD47
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 10MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 200μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 250V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Collector Base Voltage (VCBO) 350V
hFE Min 30
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 250V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 1A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.56W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Transition Frequency 10MHz
Max Breakdown Voltage 250V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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