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MJE3439G Spécifications techniques

MJE3439G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 15W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 15MHz
Pin Count 3
Configuration SINGLE
Gain Bandwidth Product 15MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 300mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 350V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 6.35mm
Width 6.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 350V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 300mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 15W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 20mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Transition Frequency 15MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 450V
hFE Min 30
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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