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MJE4353G Spécifications techniques

MJE4353G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 125W
Current Rating -16A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 1MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 16A
Current - Collector Cutoff (Max) 750μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage 3.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-218-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -160V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 1MHz
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 125W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 8A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 2A, 16A
Transition Frequency 1MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 160V
hFE Min 15
RoHS Status RoHS Compliant
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