MJW18020G Spécifications techniques

MJW18020G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 450V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 13MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 13MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 30A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 4A, 20A
Transition Frequency 13MHz
Max Breakdown Voltage 150V
Emitter Base Voltage (VEBO) 9V
Height 21.08mm
Width 5.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 250W
Current Rating 20A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 250W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1kV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 14 @ 3A 5V
JEDEC-95 Code TO-247AD
Collector Emitter Breakdown Voltage 450V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.15V
Collector Base Voltage (VCBO) 1kV
hFE Min 14
Length 16.26mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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