MJW21194G Spécifications techniques

MJW21194G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200W
Current Rating 16A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 200W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 8A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 3.2A, 16A
Transition Frequency 4MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 400V
hFE Min 20
Length 16.26mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 250V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 4MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Gain Bandwidth Product 4MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 16A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 250V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.4V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 21.08mm
Width 5.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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