MMBFJ113 Spécifications techniques

JFET N-CH 35V 350MW SOT23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors JFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 42 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Base Part Number MBFJ113
Number of Channels 1
Operating Mode DEPLETION MODE
FET Type N-Channel
Breakdown Voltage -35V
Continuous Drain Current (ID) 2mA
FET Technology JUNCTION
Drain to Source Resistance 100Ohm
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V
Resistance - RDS(On) 100Ohm
Length 2.92mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 35V
Terminal Position DUAL
Current Rating 2mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 350mW
Transistor Application SWITCHING
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
Gate to Source Voltage (Vgs) -35V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500mV @ 1μA
Height 1.2mm
Width 1.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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