MMBT100 Spécifications techniques

MMBT100 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 250MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 350mW
Gain Bandwidth Product 250MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Collector Base Voltage (VCBO) 75V
hFE Min 100
Collector-Base Capacitance-Max 4.5pF
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 45V
Terminal Position DUAL
Current Rating 500mA
Base Part Number MMBT100
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 45V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
VCEsat-Max 0.2 V
Height 970μm
Width 1.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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