MMBT2907 Spécifications techniques

MMBT2907 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Weight 30mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 350mW
Base Part Number MMBT2907
Polarity PNP
Power Dissipation 350mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Height 6.35mm
Width 6.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package SOT-23-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -40V
Current Rating -800mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 350mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 100
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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