MMBT3906TT1G Spécifications techniques

MMBT3906TT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case SC-75, SOT-416
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 250MHz
Base Part Number MMBT3906
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage -400mV
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 60
Height 800μm
Width 900μm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -200mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Power - Max 200mW
Gain Bandwidth Product 250MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 200mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Turn On Time-Max (ton) 70ns
Length 1.65mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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