MMBT4401LT1G Spécifications techniques

MMBT4401LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 300mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 600mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 20
Turn On Time-Max (ton) 255ns
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 250MHz
Base Part Number MMBT4401
Number of Elements 1
Power Dissipation 225mW
Gain Bandwidth Product 250MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 600mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.11mm
Width 1.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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