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MMBT4403LT3G Spécifications techniques

MMBT4403LT3G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position DUAL
Current Rating 600mA
Base Part Number MMBT4403
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Gain Bandwidth Product 200MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 600mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 200MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Turn Off Time-Max (toff) 255ns
Height 1.11mm
Width 2.64mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 225mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 200MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 2V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage -750mV
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 30
Collector-Base Capacitance-Max 8.5pF
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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