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MPSH10RLRA Spécifications techniques

Bipolar Transistors - BJT 25V VHF/UHF NPN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case TO-92-3
Number of Pins 3
Published 1996
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
Transition Frequency 650MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 60
DC Current Gain-Min (hFE) 60
Collector-Base Capacitance-Max 0.7pF
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount NO
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 4mA
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 650MHz
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Collector Current-Max (IC) 0.1A
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY B
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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