MPSW51ARLRP Spécifications techniques

MPSW51ARLRP datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -1A
Base Part Number MPSW51A
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 700mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Collector Emitter Saturation Voltage -700mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.75
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Gain Bandwidth Product 50MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Transition Frequency 50MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -50V
hFE Min 55
Lead Free Contains Lead
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