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MTB50P03HDLT4G Spécifications techniques

MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -50A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 125W
Turn On Delay Time 22 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 340ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 218 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Resistance 25MOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 125W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 25A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±15V
Turn-Off Delay Time 90 ns
Threshold Voltage 1.5V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Length 10.29mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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