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MTD6N20ET4G Spécifications techniques
MTD6N20ET4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 460MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 1.75W Ta 50W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700m Ω @ 3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 20 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 54 mJ |
Height | 2.38mm |
Width | 6.8mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 6A |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 50W |
Turn On Delay Time | 8.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A Tc |
Rise Time | 29ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 22 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6A |
Dual Supply Voltage | 200V |
Nominal Vgs | 3 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
MTD6N20ET4G Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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