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MUN5114T1 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Published | 2004 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.95 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Current Rating | -100mA |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 202mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 80 |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e0 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.76 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 202mW |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Lead Free | Contains Lead |
MUN5114T1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MUN5111DW1T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 4000 |
MUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 139500 |
MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
MUN5111DWT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2575 |
MUN5111LT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
MUN5111T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2478 |
MUN5111T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 9700 |
MUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN5111T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 521 |
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