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MUN5136DW1T1 Spécifications techniques

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 100k Ω
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -100mA
Base Part Number MUN51**DW1T
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Number of Elements 2
Power - Max 250mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 100k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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