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MUN5136T1 Spécifications techniques

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 202mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2005
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -100mA
Base Part Number MUN51**T
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Power - Max 202mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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