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MUN5332DW1T1G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 187mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | MUN53**DW1 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 15 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
MUN5332DW1T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MUN53110W1T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3100 |
MUN5311DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 163800 |
MUN5311DW1T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
MUN5311DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 500373 |
MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
MUN5311DW1T2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2632 |
MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
MUN5312DW1T | ON | Circuits intégrés spécialisés | 6500 |
MUN5312DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 16600 |
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