MURA110T3G Spécifications techniques

MURA110T3G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Redresseur à Diode Monophasé
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case DO-214AC, SMA
Number of Pins 2
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Max Operating Temperature 175°C
Additional Feature FREE WHEEELING DIODE
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form J BEND
Base Part Number MURA110
Number of Elements 1
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 2μA @ 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A
Operating Temperature - Junction -65°C~175°C
Application ULTRA FAST RECOVERY POWER
Breakdown Voltage 100V
Max Reverse Voltage (DC) 100V
Number of Phases 1
Peak Reverse Current 2μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 50A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 50A
Height 2.05mm
Width 2.92mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -65°C
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Position DUAL
Current Rating 2A
Pin Count 2
Element Configuration Single
Diode Type Standard
Output Current 1A
Forward Current 2A
Max Surge Current 50A
Halogen Free Halogen Free
Forward Voltage 875mV
Average Rectified Current 2A
Reverse Recovery Time 30 ns
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 100V
Reverse Voltage 100V
Recovery Time 30 ns
Length 4.57mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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