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NDD04N60Z-1G Spécifications techniques

MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 83W
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.1A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.6A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 2Ohm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A Tc
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 6.35mm
Width 2.38mm
RoHS Status RoHS Compliant
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