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NDF08N60ZG Spécifications techniques
MOSFET 600V 0.95 OHM TO- 220FP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 35W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950m Ω @ 3.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8.4A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Length | 10.63mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Powers |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation-Max | 36W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A Tc |
Rise Time | 22ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 36 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.95Ohm |
Height | 16.12mm |
Width | 4.9mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NDF08N60ZG Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NDF08N50ZG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
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