NDT01N60T1G Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 4
Power Dissipation-Max 2.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 21.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 400mA
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ω @ 200mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA Tc
Rise Time 5.1ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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