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NE5534DR2G Spécifications techniques
NE5534DR2G datasheet pdf and Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Amplificateurs opérationnels instrumentaux |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 0°C~70°C |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Operational Amplifier |
Technology | BIPOLAR |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Functions | 1 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Nominal Supply Current | 8mA |
Output Current | 38mA |
Architecture | VOLTAGE-FEEDBACK |
Common Mode Rejection Ratio | 70 dB |
Voltage - Supply, Single/Dual (±) | ±3V~20V |
Output Current per Channel | 38mA |
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
Voltage Gain | 100dB |
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) | 100dB |
Frequency Compensation | YES AVCL>=3 |
Voltage - Input Offset | 500μV |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Number of Pins | 8 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Packing Method | TAPE AND REEL |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Supply Voltage | 15V |
Base Part Number | NE5534 |
Operating Supply Voltage | 20V |
Operating Supply Current | 4mA |
Power Dissipation | 750mW |
Slew Rate | 13V/μs |
Amplifier Type | General Purpose |
Current - Input Bias | 500nA |
Halogen Free | Halogen Free |
Input Offset Voltage (Vos) | 4mV |
Unity Gain BW-Nom | 10000 kHz |
Average Bias Current-Max (IIB) | 2μA |
Low-Offset | NO |
Supply Voltage Limit-Max | 22V |
Nominal Gain Bandwidth Product | 10MHz |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NE5534DR2G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NE5531079A-A | CEL | Transistors MOSFET RF | |
NE5531079A-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 19007 |
NE5531079A-T1-A | CEL | Transistors MOSFET RF | |
NE5531079A-T1-A | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET RF | |
NE5531079A-T1A-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2620 |
NE5531079A-T1A-A | CEL | Transistors MOSFET RF | |
NE5532 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 2380 |
NE5532(NE5532AD) | TI | Circuits intégrés spécialisés | 825 |
NE5532/SOP8/DIP | TI | Circuits intégrés spécialisés | 15822459 |
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