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NGD8205NT4G Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 52 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 125W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application AUTOMOTIVE IGNITION
Collector Emitter Voltage (VCEO) 390V
Collector Emitter Breakdown Voltage 390V
Turn On Time 6500 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
Gate-Emitter Voltage-Max 15V
Fall Time-Max (tf) 14000ns
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 350V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 20A
Base Part Number NGD8205N
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Rise Time-Max 8000ns
Power Dissipation 125W
Input Type Logic
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 20A
Max Breakdown Voltage 390V
Test Condition 300V, 9A, 1k Ω, 5V
Turn Off Time-Nom (toff) 18500 ns
Td (on/off) @ 25°C -/5μs
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 2.1V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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