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NGTB40N60FL2WG Spécifications techniques

NGTB40N60FL2WG datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 366W
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 970μJ (on), 440μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 16.26mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Element Configuration Single
Power - Max 366W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 72 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Gate Charge 170nC
Td (on/off) @ 25°C 84ns/177ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 21.08mm
Width 5.3mm
RoHS Status RoHS Compliant
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NGTB40N60FL2WG fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, NGTB40N60FL2WG prix de référence. NGTB40N60FL2WG paramètres, NGTB40N60FL2WG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NGTB40N60FL2WG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NGTB40N60FL2WG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NGTB40N60FL2WG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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